20W-2000W的電源用到的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)詳細(xì)介紹

在20W到2000W的電源設(shè)計(jì)中，不同功率等級(jí)適合使用不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。隨著功率的增大，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選擇會(huì)越來越傾向于效率更高、開關(guān)器件更強(qiáng)的方案。拓?fù)溥x擇需要考慮功率等級(jí)、效率要求、成本、以及應(yīng)用場(chǎng)景中的電壓和電..

AC-DC電源拓?fù)渲械墓β势骷?yīng)用-美瑞電子

不同的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)會(huì)使用不同的功率器件來滿足各自的電氣特性、工作效率和功率需求。下面按照主要的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，介紹常見的功率器件選擇。

常見的電源拓普架構(gòu)詳細(xì)介紹

IGBT在車載OBC產(chǎn)品的詳細(xì)應(yīng)用介紹

在OBC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，IGBT主要用于PFC電路和DC-DC轉(zhuǎn)換電路，IGBT在車載OBC產(chǎn)品中的核心作用是實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換，提升功率密度，并在高壓高頻工作環(huán)境下保持高可靠性。

碳化硅內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)的詳細(xì)介紹-美瑞電子

碳化硅內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)是通過多層絕緣、導(dǎo)熱、和保護(hù)結(jié)構(gòu)的集成，確保SiC器件在高壓、高溫、高功率條件下穩(wěn)定運(yùn)行。通過選擇合適的材料和封裝設(shè)計(jì)，可以最大程度地發(fā)揮碳化硅的高性能優(yōu)勢(shì)，使其廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)電力..

國(guó)內(nèi)超結(jié)MOS的品牌介紹以及產(chǎn)品區(qū)別-美瑞電子

中國(guó)大陸的超結(jié)MOSFET市場(chǎng)有多家廠商參與，各品牌在技術(shù)能力、產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)定位上各具特色。華潤(rùn)微、士蘭微等品牌在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)具備廣泛的影響力，具有成熟的產(chǎn)品線，而揚(yáng)杰科技、聞泰科技等在特定應(yīng)用領(lǐng)域也有其獨(dú)特..

碳化硅二極管的制備方法

碳化硅二極管的制備方法，SiC二極管具有高耐壓、低導(dǎo)通損耗、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子器件中。其制備過程主要涉及碳化硅材料的生長(zhǎng)、摻雜、圖形化工藝、金屬化等步驟。

IGBT的工作原理介紹，主要分為導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)。

IGBT工作原理介紹-將MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起，在高效能電力電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了高電流開關(guān)和低損耗操作。