公司概況

龍騰半導(dǎo)體股份有限公司成立于2009年7月13日，總部位于陜西省西安市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳城十二路1號西安關(guān)中綜合保稅區(qū)A區(qū)龍騰產(chǎn)業(yè)園，是國家級高新技術(shù)企業(yè)、專精特新“小巨人”企業(yè)以及陜西省半導(dǎo)體及集成電路重點產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)。公司注冊資本約1.61億元，法定代表人為徐西昌，現(xiàn)有員工規(guī)模100-199人，參保人數(shù)118人。作為一家垂直整合（IDM）模式的功率半導(dǎo)體企業(yè)，其業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及測試全鏈條。

核心業(yè)務(wù)與技術(shù)實力

公司專注于新型功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，主要產(chǎn)品包括高壓超結(jié)MOSFET、屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、碳化硅MOSFET（SiCMOSFET）及功率模塊等，廣泛應(yīng)用于消費電子（如充電器、LED驅(qū)動電源）、工業(yè)能源（如通信電源、服務(wù)器電源）和汽車電子（如充電樁、車載電源）領(lǐng)域。技術(shù)方面，公司擁有101項核心技術(shù)專利，主導(dǎo)制定了超結(jié)功率MOSFET國家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（SJ/T9014.8.2-2018），并依托校企聯(lián)合研發(fā)平臺（如交大-龍騰先進功率半導(dǎo)體技術(shù)研究院）推動創(chuàng)新。

行業(yè)地位與榮譽

龍騰半導(dǎo)體在行業(yè)內(nèi)具有顯著影響力，連續(xù)多年入選“西安龍門榜TOP20”，并獲評工信部首批重點支持的專精特新“小巨人”企業(yè)。公司建有陜西省首條8英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達60萬片，填補了陜西省在該領(lǐng)域的空白。其產(chǎn)品以高能效、高可靠性及高性價比著稱，在新能源汽車、光伏逆變器等新興市場表現(xiàn)突出。

研發(fā)與生產(chǎn)布局

公司擁有國內(nèi)一流的器件測試實驗室和產(chǎn)品可靠性工程中心，通過“應(yīng)用+設(shè)計+工藝+材料+設(shè)備”融合創(chuàng)新模式推動技術(shù)升級。西安關(guān)中綜合保稅區(qū)的龍騰產(chǎn)業(yè)園是其核心制造基地，覆蓋晶圓制造、封裝測試等環(huán)節(jié)。2025年，公司加速推進8英寸功率半導(dǎo)體器件制造項目二期建設(shè)，進一步強化產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)優(yōu)勢。

人才與團隊

龍騰半導(dǎo)體注重技術(shù)人才隊伍建設(shè)，員工學(xué)歷以本科為主（占比62.5%），技術(shù)崗位涵蓋電子/電器、工廠生產(chǎn)、質(zhì)量管理等領(lǐng)域。薪酬結(jié)構(gòu)顯示，54.6%的崗位薪資集中在8-20K，西安地區(qū)平均工資約14.8K。公司通過校企合作和研發(fā)項目培養(yǎng)人才，持續(xù)提升技術(shù)創(chuàng)新能力。

近期動態(tài)與未來規(guī)劃

2025年慕尼黑上海電子展上，龍騰半導(dǎo)體展示了IGBT模塊、SiCMOSFET等最新產(chǎn)品，凸顯其在汽車電子與工業(yè)能源領(lǐng)域的解決方案能力。未來，公司計劃深化全產(chǎn)業(yè)鏈布局，目標(biāo)成為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件及系統(tǒng)解決方案提供商，并拓展國際市場。

龍騰半導(dǎo)體產(chǎn)品線布局與應(yīng)用領(lǐng)域

龍騰半導(dǎo)體聚焦功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，形成了覆蓋消費電子、工業(yè)能源及汽車電子等多領(lǐng)域的產(chǎn)品矩陣，核心產(chǎn)品包括超結(jié)功率場效應(yīng)管、絕緣柵雙極型晶體管等系列，并以高能效、高可靠性及高性價比為顯著優(yōu)勢。

核心產(chǎn)品系列

• 超結(jié)功率場效應(yīng)管（SuperJunction VDMOS）
  具備高壓、低導(dǎo)通電阻特性，適用于開關(guān)電源、LED驅(qū)動電源等場景，是消費電子和工業(yè)電源領(lǐng)域的關(guān)鍵器件。

• 屏蔽柵溝槽場效應(yīng)管（Shielding Gate VDMOS）
  通過溝槽結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)低柵極電荷和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、適配器及服務(wù)器電源。

• 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
  兼具MOSFET的驅(qū)動簡單和雙極型晶體管的高耐壓、大電流特性，主要用于新能源汽車電機驅(qū)動、光伏逆變器、工業(yè)變頻器等中大功率場景，市場需求增長迅速。

• 快恢復(fù)二極管（FRD）
  作為高頻整流器件，搭配IGBT或MOSFET使用，提升電力電子變換器的效率，適用于電焊機、UPS等設(shè)備。

產(chǎn)品應(yīng)用場景分布

產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢

• 多場景適配性：覆蓋低壓至高壓全電壓等級，滿足從消費級小功率到工業(yè)級大功率的多樣化需求。

• 國產(chǎn)化替代能力：依托自建的8英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線（年產(chǎn)60萬片），實現(xiàn)核心器件自主可控，響應(yīng)國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場的國產(chǎn)替代趨勢。

• 研發(fā)持續(xù)迭代：通過陜西省新型功率半導(dǎo)體工程研究中心等平臺，推動產(chǎn)品技術(shù)升級，例如在IGBT模塊和碳化硅器件領(lǐng)域的研發(fā)投入，強化汽車電子和新能源領(lǐng)域的競爭力。

市場拓展方向

目前，龍騰半導(dǎo)體的產(chǎn)品已在新能源汽車充電樁、車載充電機等汽車電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，并持續(xù)向光伏逆變器、工業(yè)變頻器等增長型市場滲透，未來計劃進一步拓展國際市場，提升全球份額。