龍騰半導體的多層外延產(chǎn)品主要包括超結MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）器件。這些產(chǎn)品采用了先進的多層外延工藝，這是一種在硅襯底上通過多次摻雜和熱推進來生長多層摻雜不同的外延層的技術。這種工藝可以實現(xiàn)高電壓承受能力和低導通電阻的特性，使得超結MOSFET非常適合用于需要高效能功率管理的應用場景。

超結MOS工藝介紹

多層外延工藝 (Multi-EPI)

• 開發(fā)背景：多層外延工藝是較早被開發(fā)出來的、較為成熟的超結MOS制造技術。

• 工藝特點：

  • 基于平面硅生長技術。

  • 通過在外延生長過程中形成多個PN結來構建超結結構。

  • 具有更高的電壓承受能力以及更低的導通電阻。

  • 相比傳統(tǒng)SuperJunction技術，能夠進一步降低生產(chǎn)成本。

• 優(yōu)點：

  • 在漏電控制、高溫可靠性及長期可靠性方面表現(xiàn)優(yōu)異。

  • 動態(tài)特性優(yōu)良，因為整個外延過程基于平整界面生長，減少了外延位錯缺陷。

• 缺點：

  • 制備工藝相對復雜，導致成本較高。

  • 光刻控制難度較大。

深溝槽工藝 (Deep-Trench)

• 工藝特點：

  • 一種更為巧妙且相對簡單的實現(xiàn)超結技術的方法。

  • 首先通過外延設備生長一層幾十微米厚的外延層。

  • 然后利用深槽刻蝕設備雕刻出高寬比很大的溝槽，并通過外延方式填充該溝槽以形成P柱結構。

• 優(yōu)點：

  • 工藝簡單，成本較低。

  • 減少了晶體缺陷，從而提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

• 缺點：

  • 溝槽側邊與底部蝕刻形貌難以精確控制至平滑狀態(tài)。

  • 在深寬比大的情況下，外延填充時容易在溝槽底部產(chǎn)生不規(guī)則空洞，影響芯片長期工作時的可靠性。

  • 由于界面接近突變結，動態(tài)特性相對較差，在應用中可能面臨一定挑戰(zhàn)。

這兩種工藝各有優(yōu)劣，選擇哪一種取決于具體的應用需求、制造工藝的可行性以及其他因素如成本考量等。對于追求高性能但預算有限的情況，深溝槽工藝可能是更經(jīng)濟的選擇；而對于那些對器件性能有著極高要求的應用，則可能會傾向于采用多層外延工藝。龍騰半導體提供的超結MOSFET產(chǎn)品線涵蓋了多種規(guī)格和技術參數(shù)，適用于新能源汽車、充電樁、通信電源等多個領域。

以下為龍騰650V 多層外延產(chǎn)品具體規(guī)格：